具有自主知識產權的EUV光刻膠的成功研發(fā)，填補了我國在超高精細光刻膠研發(fā)領域的空白，將為擺脫國內高檔光刻膠材料完全依賴進口的格局，促進我國集成電路制造產業(yè)的健康發(fā)展起到積極的促進作用。在此工作的基礎上，以獲得的光刻膠主體材料為核心，通過配方和工藝研發(fā)，實現(xiàn)了193nm曝光機光刻，為我國開展193nm和193nm浸沒式光刻膠的研發(fā)打下了基礎。
